SOME PROPERTIES OF DIODE STRUCTURES MADE OF SEMIINSULATING GALLIUM ARSENIDE

被引：0
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作者：
GONTAR, VM
EGIAZARY.GA
RUBIN, VS
MURYGIN, VI
STAFEEV, VI
机构：
来源：
SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR | 1970年 / 3卷 / 11期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
O469 [凝聚态物理学];
学科分类号：
070205 ;
摘要：
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页码：1460 / &
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