BENDING OF SILICON WAFERS BY THIN POLYCRYSTALLINE SILICON FILM DEPOSITION AND BY FILM DOPING USING BORON-DIFFUSION

被引:6
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作者
TONCHEVA, LT [1 ]
VASSILEV, IS [1 ]
机构
[1] INST SOLID STATE PHYS,BU-1113 SOFIA,BULGARIA
关键词
D O I
10.1016/0040-6090(79)90081-6
中图分类号
T [工业技术];
学科分类号
08 ;
摘要
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页码:353 / 359
页数:7
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