CURRENT OSCILLATIONS IN DEEP-LEVEL DOPED SEMICONDUCTORS

被引：12
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作者：
STREETMAN, BG
HOLONYAK, N
机构：
来源：
IBM JOURNAL OF RESEARCH AND DEVELOPMENT | 1969年 / 13卷 / 05期
关键词：
D O I：
10.1147/rd.135.0529
中图分类号：
TP3 [计算技术、计算机技术];
学科分类号：
0812 ;
摘要：
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页数：1
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