Behavior of excess arsenic in undoped, semi-insulating GaAs during ingot annealing

被引:0
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作者
Suemitsu, Maki [1 ]
Terada, Koji [1 ]
Nishijima, Masaaki [1 ]
Miyamoto, Nobuo [1 ]
机构
[1] Tohoku Univ, Sendai, Japan
来源
关键词
11;
D O I
暂无
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