Si/SiO2 interface roughness study using Fowler-Nordheim tunneling current oscillations

被引:0
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作者
Lai, L. [1 ]
Irene, Gene [1 ]
机构
[1] Department of Chemistry, Univ. of N. Carolina at Chapel Hill, Chapel Hill, NC 27599-3290, United States
来源
| 1600年 / American Institute of Physics Inc.卷 / 87期
关键词
D O I
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