GROWTH OF HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON BY AN INDUCTIVE COUPLING GLOW-DISCHARGE REACTOR

被引：1
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作者：
YOKOTA, K
NAKAYAMA, S
OHNO, Y
KATAYAMA, S
机构：
来源：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS | 1987年 / 26卷 / 06期
关键词：
D O I：
10.1143/JJAP.26.965
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
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页码：965 / 966
页数：2
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