ELECTRICAL-PROPERTIES OF INTERFACE-TRAPS IN SELECTIVELY DOPED ALGAAS/GAAS HETEROSTRUCTURES

被引:10
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作者
TAKIKAWA, M
机构
关键词
D O I
10.1143/JJAP.26.2026
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
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页码:2026 / 2032
页数:7
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