PHOTOGRAPHIC PROCESS BASED ON OXIDATION-REDUCTION REACTIONS ON SURFACE OF SILICON

被引：0
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作者：
GORYACHEV, DN
PARITSKI.LG
RYVKIN, SM
机构：
来源：
SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR | 1971年 / 4卷 / 08期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
O469 [凝聚态物理学];
学科分类号：
070205 ;
摘要：
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