INHOMOGENEOUS OXYGEN PRECIPITATION AND STACKING-FAULT FORMATION IN CZOCHRALSKI SILICON

被引:8
|
作者
INOUE, N
OOSAKA, J
机构
关键词
D O I
10.1143/JJAP.17.2051
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
引用
收藏
页码:2051 / 2052
页数:2
相关论文
共 50 条