DEPENDENCE OF THE GROWTH-RATE OF INAS EPITAXIAL LAYERS ON ASCL3 PRESSURE IN THE INAS-ASCL3-H2 SYSTEM

被引：0
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作者：
ALEKSANDROVA, GA
IVONIN, IV
KRASILNIKOVA, LM
LAVRENTYEVA, LG
PASHCHENKO, PB
SHUBIN, AE
机构：
来源：
IZVESTIYA VYSSHIKH UCHEBNYKH ZAVEDENII FIZIKA | 1983年 / 26卷 / 11期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
O4 [物理学];
学科分类号：
0702 ;
摘要：
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