全碳化硅大功率直流电源关键技术研究

被引：3

作者：

李志君 ^{[1
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黄波 ^{[2
]}

黄小羽 ^{[3
]}

郑琼林 ^{[1
]}

李虹 ^{[1
]}

邵天骢 ^{[1
]}

机构：

[1] 北京交通大学电气工程学院

[2] 泰科天润半导体科技(北京)有限公司

[3] 国网北京市电力公司电缆分公司

来源：

电源学报 | 2021年 / 01期

关键词：

碳化硅功率半导体器件; 电力电子变换装置; 嵌入式保护; 电磁兼容; 功率密度; 效率;

D O I：

10.13234/j.issn.2095-2805.2021.1.215

中图分类号：

TN386 [场效应器件];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

碳化硅SiC(silicon carbide)功率器件的耐压、频率和损耗等特性均优于硅(Si)器件,然而SiC器件抗冲击能力差、电磁干扰大,且SiC器件对整个功率变换系统的贡献尚缺乏分析验证,因此,采用全SiC器件研制高性能的大功率直流电源具有一定挑战。首先针对SiC器件抗冲击能力差的问题,引入嵌入式保护策略,应对直流电源外部冲击扰动和短路故障。其次,针对电磁干扰大的问题,设计了电磁干扰滤波器抑制传导干扰。最后,比较全Si C电源和传统全Si电源,以实验研究的方式验证功率器件使用SiC器件的技术优势。对全SiC大功率直流电源的关键技术进行全面研究和实验验证,为SiC半导体器件在大功率电能变换中的应用提供了有益参考,并为其优异性能提供坚实依据。

引用

页码：215 / 222

页数：8

共 7 条

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