北京第三代半导体产业发展思路的研究

被引：6

作者：

顾瑾栩 ^{[1
]}

张倩 ^{[2
]}

卢晓威 ^{[1
]}

机构：

[1] 北京市经济和信息化局

[2] 北京市电子科技情报研究所

来源：

集成电路应用 | 2019年 / 36卷 / 05期

关键词：

第三代半导体; 宽禁带半导体材料; 碳化硅; 氮化镓; 功率器件;

D O I：

10.19339/j.issn.1674-2583.2019.05.001

中图分类号：

F426.63 [];

学科分类号：

020205 ; 0202 ;

摘要：

第三代半导体是以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的新一代半导体材料,它们拥有高频高效、耐高压、耐高温等特性,是支撑轨道交通、新能源汽车、5G等产业的核心材料和电子元器件。北京市作为我国第三代半导体发展的重镇,具备丰富的科技资源和产业基础,聚集了诸如世纪金光、天科合达、泰科天润等知名生产制造企业。研究并实施北京第三代半导体产业的发展大计,不仅是助推北京市经济结构的优化,更是完善中国第三代半导体产业布局、助推产业成长的重要举措。

引用

页码：1 / 6

页数：6

共 18 条

[1] 深圳市激发创新主体内生动力的启示与思考 [J].