第三代半导体带来的机遇与挑战

被引：14

作者：

林佳 ^{[1
]}

黄浩生 ^{[2
]}

机构：

[1] 青岛铝镓半导体材料有限公司

[2] 中国宽禁带半导体技术创新联盟

来源：

集成电路应用 | 2017年 / 34卷 / 12期

关键词：

第三代半导体; 宽禁带; 电力电子器件; SiC; GaN;

D O I：

10.19339/j.issn.1674-2583.2017.12.021

中图分类号：

F426.63 [];

学科分类号：

020205 ; 0202 ;

摘要：

随着以SiC和GaN为代表的宽禁带半导体材料(即第三代半导体材料)设备、制造工艺与器件物理的迅速发展,SiC和GaN基的电力电子器件逐渐成为功率半导体器件的重要发展方向。第三代半导体功率器件以更高的击穿电压、更高的热导率、更高的电子饱和漂移速率和更高的抗辐射能力开始在军事、航空航天等领域崭露头角。作者从第三代半导体材料性能应用、行业领先者及市场并购、各国发展战略以及中国力量与思考多个角度,浅析第三代半导体功率器件市场。

引用

页码：83 / 86

页数：4

共 9 条

[1]

SiC MOSFET晶体管会是下一个器件领跑者[J]. 半导体信息. 2017 (04)

[2] 华虹宏力功率器件潜力无限 [J].

集成电路应用, 2017, (07) :57-57

[3] 第三代半导体产业概况剖析 [J].