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第3代半导体产业发展概况
被引：3
作者：
于灏
蔡永香
卜雨洲
谢潜思
机构：
[1] 北京新材料发展中心
来源：
关键词：
宽禁带半导体材料;
GaN;
材料体系;
功率器件;
LED;
半导体照明技术;
照明产品;
电力电子器件;
功率电子器件;
微波器件;
电子器件;
发展概况;
SiC;
电机系统;
新能源汽车;
美元;
本位币;
D O I：
暂无
中图分类号：
F426.63 [];
学科分类号：
020205 ;
0202 ;
摘要：
<正>第3代半导体是指以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、金刚石、氧化锌(ZnO)为代表的宽禁带半导体材料,各类半导体材料的带隙能比较见表1。与传统的第1代、第2代半导体材料硅(Si)和砷化镓(GaAs)相比,第3代半导体具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小等独特的性能,使其在光电器件、电力电子、射频微波器件、激光器和探测器件等方面展现出巨大
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