王占国:发展中国第三代半导体材料机遇大于挑战

当前我国在第三代化合物半导体产业化领域进展仍然比较缓慢,技术研发也滞后于国际先进水平。近日,中国科学院院士、中国科学院半导体所研究员王占国在接受《高科技与产业化》记者专访时指出,总体而言,中国第三代半导体材料发展机遇大于挑战,在三个方面存在着实现技术领跑的可能性。