新一代功率芯片耐高温封装连接国内外发展评述

被引：10

作者：

冯洪亮

黄继华

陈树海

赵兴科

机构：

[1] 北京科技大学材料科学与工程学院

来源：

焊接学报 | 2016年 / 37卷 / 01期

关键词：

功率芯片; 耐高温封装; 连接; 瞬时液相烧结;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN405 [制造工艺];

学科分类号：

080903 ; 1401 ;

摘要：

新一代半导体高温功率芯片可在500℃左右甚至更高的温度下服役,耐高温封装已成为其高温应用的主要障碍.针对当前高温功率芯片耐高温封装连接问题,从芯片耐高温封装连接的结构及要求、芯片的耐高温封装连接方法(包括高温无铅钎料封装连接、银低温烧结连接、固液互扩散连接和瞬时液相烧结连接)及存在的问题等方面对国内外研究现状、动态进行了分析和评述,并提出了今后高温功率芯片耐高温封装连接的研究重点和发展方向.

引用

页码：120 / 128+134 +134

页数：10

共 51 条

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