三维封装芯片键合IMC焊点应力分析及结构优化

被引：14

作者：

田艳红

王宁

杨东升

王春青

机构：

[1] 哈尔滨工业大学先进焊接与连接国家重点实验室

来源：

焊接学报 | 2012年 / 33卷 / 08期

关键词：

三维封装; 金属间化合物焊点; 有限元模拟; 优化参数;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN405 [制造工艺];

学科分类号：

080903 ; 1401 ;

摘要：

利用ANSYS有限元软件对三维封装芯片键合过程中金属间化合物焊点及芯片的应力分布情况进行模拟,并对三维封装的结构进行了优化设计.结果表明,铜柱及焊点的第一主应力最大点出现在底层外部边缘拐角处,芯片应力最大点出现在通孔内表面;以焊点的最大应力作为响应设计正交试验,来模拟封装结构参数对焊点残余应力的影响,采用3因素3水平的正交试验,选择填充树脂的厚度、芯片厚度和填充树脂的硬度3个影响封装体内部残余应力的主要因素作为封装结构参数.填充树脂的厚度对焊点应力的影响最大,影响适中的是芯片厚度,最弱的是填充树脂的硬度.

引用

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