T型栅GaN HEMT微波器件ESD特性研究

被引：0
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作者：
倪志远
白霖
林罡
鲍诚
章军云
机构：
[1] 南京电子器件研究所
来源：
电子技术应用 | 2025年 / 51卷 / 04期
关键词：
GaN HEMT; T型栅; ESD; 栅脚栅帽; 总栅宽;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN386 [场效应器件];
学科分类号：
摘要：
对Si基GaN HEMT器件在ESD事件下的失效机理与影响因素进行了研究。探究了器件在不同偏置下的失效电压分布情况，并结合微光显微镜定位了引起器件退化的异常点，进行了对应的微区分析。另外，还探究了T型栅几何尺寸如栅脚、栅帽宽度与总栅宽等工艺参数对器件抗静电能力的影响并进行相关机理分析，为器件ESD性能、可靠性的优化提供了方向与参考。
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