共 9 条
- [9] 砷化镓微波功率场效应晶体管及其集成电路[M]. 科学出版社 , 李效白编著, 1998
GaAs场效应晶体管不同极性ESD损伤机理
被引：2
|作者：
林丽艳
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机构: 中国电子科技集团公司第十三研究所
李用兵
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机构: 中国电子科技集团公司第十三研究所
机构：
[1] 中国电子科技集团公司第十三研究所
来源：
关键词：
GaAs场效应晶体管(FET);
静电放电(ESD)实验;
热模型;
失效模式;
损伤机理;
D O I：
10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.09.005
中图分类号：
TN386 [场效应器件];
学科分类号：
摘要：
对Ga As场效应晶体管(FET)进行3个正向和3个负向脉冲(3"+"3"-")、3个负脉冲(3"-")、3个正脉冲(3"+")3种极性静电放电(ESD)实验,不同极性ESD实验下器件的失效阈值不同。以栅源端对为例对实验结果进行分析,在3"+"3"-"和3"-"极性下,器件失效模式为栅源短路,在3"+"极性下器件电参数退化。运用热模型对ESD正负脉冲电压产生的温升进行了计算,器件的损伤机理为,在正向脉冲下为栅金属纵向电迁移导致肖特基势垒退化;在ESD负向脉冲下为高电场引起栅源端对击穿。
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