CAPTURE OF HOLES BY CHROMIUM IMPURITY CENTER IN SEMIINSULATING GALLIUM ARSENIDE.

被引:0
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作者
Brodovoi, V.A.
Mirets, L.Z.
Peka, G.P.
机构
来源
Soviet physics. Semiconductors | 1980年 / 14卷 / 07期
关键词
D O I
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10
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