STUDIES OF THE POSSIBILITY OF ELIMINATING THE CMOS LATCH-UP BY ELECTRON IRRADIATION.

被引:0
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作者
Huang Huiling
Xu Shouxiang
Qui Xingyong
Zhang Xiumiao
Su Jiuling
Bao Zongming
机构
关键词
Compendex;
D O I
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摘要
TRANSISTORS
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页码:509 / 511
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