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Kinetic study of Al distribution coefficient in MOVPE growth of AlGaAs
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作者
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Gong, Yanning
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Gong, Yanning
Mo, Jinji
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Mo, Jinji
Yu, Haisheng
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Yu, Haisheng
Xia, Guanqun
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Xia, Guanqun
机构
:
来源
:
Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors
|
2000年
/ 21卷
/ 02期
关键词
:
D O I
:
暂无
中图分类号
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学科分类号
:
摘要
:
11
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[1]
Kinetic study on uniformity of AlGaAs grown by MOVPE
Gong, YN
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机构:
Acad Sinica, Shanghai Inst Met, Shanghai 200050, Peoples R China
Acad Sinica, Shanghai Inst Met, Shanghai 200050, Peoples R China
Gong, YN
Mo, JJ
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Acad Sinica, Shanghai Inst Met, Shanghai 200050, Peoples R China
Acad Sinica, Shanghai Inst Met, Shanghai 200050, Peoples R China
Mo, JJ
Yu, HS
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Acad Sinica, Shanghai Inst Met, Shanghai 200050, Peoples R China
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Yu, HS
Wang, L
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Acad Sinica, Shanghai Inst Met, Shanghai 200050, Peoples R China
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Wang, L
Xia, GQ
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Acad Sinica, Shanghai Inst Met, Shanghai 200050, Peoples R China
Acad Sinica, Shanghai Inst Met, Shanghai 200050, Peoples R China
Xia, GQ
RARE METALS,
1999,
18
(04)
: 264
-
269
[2]
Kinetic Study on Uniformity of AlGaAs Grown by MOVPE
公延宁
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公延宁
莫金玑
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莫金玑
余海生
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余海生
汪乐
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汪乐
夏冠群
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夏冠群
RareMetals,
1999,
(04)
: 264
-
269
[3]
MOVPE growth of AlGaAs/GaInP diode lasers
F. Bugge
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Ferdinand-Braun-Institut für Höchstfrequenztechnik,
F. Bugge
A. Knauer
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Ferdinand-Braun-Institut für Höchstfrequenztechnik,
A. Knauer
S. Gramlich
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S. Gramlich
I. Rechenberg
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Ferdinand-Braun-Institut für Höchstfrequenztechnik,
I. Rechenberg
G. Beister
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Ferdinand-Braun-Institut für Höchstfrequenztechnik,
G. Beister
J. Sebastian
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Ferdinand-Braun-Institut für Höchstfrequenztechnik,
J. Sebastian
H. Wenzel
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Ferdinand-Braun-Institut für Höchstfrequenztechnik,
H. Wenzel
G. Erbert
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Ferdinand-Braun-Institut für Höchstfrequenztechnik,
G. Erbert
M. Weyers
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Ferdinand-Braun-Institut für Höchstfrequenztechnik,
M. Weyers
Journal of Electronic Materials,
2000,
29
: 57
-
61
[4]
MOVPE growth of AlGaAs/GaInP diode lasers
Bugge, F
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Ferdinand Braun Inst Hochstfrequenztech, D-12489 Berlin, Germany
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Bugge, F
Knauer, A
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Knauer, A
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Gramlich, S
Rechenberg, I
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Rechenberg, I
Beister, G
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Beister, G
Sebastian, J
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Sebastian, J
Wenzel, H
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Ferdinand Braun Inst Hochstfrequenztech, D-12489 Berlin, Germany
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Wenzel, H
Erbert, G
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Erbert, G
Weyers, M
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Ferdinand Braun Inst Hochstfrequenztech, D-12489 Berlin, Germany
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Weyers, M
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS,
2000,
29
(01)
: 57
-
61
[5]
CONTROL OF COMPOSITION VARIATION IN MOVPE ALGAAS GROWTH
MAKAROV, YN
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MAKAROV, YN
ZHMAKIN, AI
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ZHMAKIN, AI
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,
1990,
100
(03)
: 646
-
650
[6]
MOVPE GROWTH OF ALGAAS USING TRIMETHYLAMINE ALANE
ROBERTS, JS
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EPICHEM LTD,WIRRAL L62 3QF,MERSEYSIDE,ENGLAND
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ROBERTS, JS
BUTTON, CC
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EPICHEM LTD,WIRRAL L62 3QF,MERSEYSIDE,ENGLAND
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BUTTON, CC
DAVID, JPR
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EPICHEM LTD,WIRRAL L62 3QF,MERSEYSIDE,ENGLAND
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DAVID, JPR
JONES, AC
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EPICHEM LTD,WIRRAL L62 3QF,MERSEYSIDE,ENGLAND
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JONES, AC
RUSHWORTH, SA
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机构:
EPICHEM LTD,WIRRAL L62 3QF,MERSEYSIDE,ENGLAND
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RUSHWORTH, SA
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,
1990,
104
(04)
: 857
-
860
[7]
A STUDY OF THE ORIENTATION DEPENDENCE OF GA(AL)AS GROWTH BY MOVPE
HERSEE, SD
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HERSEE, SD
BARBIER, E
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BARBIER, E
BLONDEAU, R
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BLONDEAU, R
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,
1986,
77
(1-3)
: 310
-
320
[8]
MOVPE GROWTH OF ALGAAS ON PREFERENTIALLY DRY ETCHED SUBSTRATES
TATE, A
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TATE, A
OHMORI, Y
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OHMORI, Y
KOBAYASHI, M
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KOBAYASHI, M
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,
1988,
89
(2-3)
: 360
-
362
[9]
MOVPE growth of AlGaAs/GaAs heterostructures for HEMT LSI
Itoh, Hiromi,
1693,
(28):
[10]
MOVPE GROWTH OF ALGAAS/GAAS HETEROSTRUCTURES FOR HEMT LSI
ITOH, H
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ITOH, H
TANAKA, H
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TANAKA, H
OHORI, T
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OHORI, T
KASAI, K
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KASAI, K
MITANI, E
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MITANI, E
SUZUKI, M
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SUZUKI, M
KOMENO, J
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KOMENO, J
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS,
1989,
28
(10):
: L1693
-
L1695
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