Mid-infrared InAsSb-based nBn photodetectors with AlGaAsSb barrier layers - Grown on GaAs, using an interfacial misfit array, and on native GaSb

被引：0

作者：

机构：

[1] Craig, A.P.

[2] Marshall, A.R.J.

[3] Tian, Z.-B.

[4] Krishna, S.

来源：

Craig, A.P. (A.craig1@lancaster.ac.uk) | 1600年 / Elsevier B.V., Netherlands卷 / 67期

基金：

英国工程与自然科学研究理事会;

关键词：

Cost effectiveness - Dark currents - Gallium arsenide - Semiconducting gallium - Semiconductor alloys - Activation energy - Photons - Infrared detectors - Thermoelectric equipment;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用