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THEORY AND EXPERIMENT FOR SILICON SCHOTTKY-BARRIER DIODES AT HIGH-CURRENT DENSITY
被引:9
|作者:
WILKINSON, JM
[1
]
WILCOCK, JD
[1
]
BRINSON, ME
[1
]
机构:
[1] MIDDLESEX POLYTECH, CTR MICROELECTR, ENFIELD, MIDDLESEX, ENGLAND
关键词:
D O I:
10.1016/0038-1101(77)90032-6
中图分类号:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号:
0808 ;
0809 ;
摘要:
引用
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页数:6
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