INFLUENCE OF AN INVERSION LAYER ON THE TUNNEL FIELD GENERATION OF CARRIERS IN METAL-INSULATOR SEMICONDUCTOR STRUCTURES

被引:0
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作者
LITOVSKII, RN
机构
来源
SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR | 1988年 / 22卷 / 04期
关键词
D O I
暂无
中图分类号
O469 [凝聚态物理学];
学科分类号
070205 ;
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