Planar, low-loss AlGaAs/GaAs waveguides have been fabricated using the solid-phase regrowth (SPR) process. Single-mode waveguide with a propagation loss as low as 1.6 dB/cm have been obtained. This process requires only thin-film deposition and low-temperature short-duration annealing (i.e., 650-degrees-C for 30 s), thus making the SPR method a much simplified technique to induce compositional disordering. Simultaneous electrical isolation and compositional disordering are also demonstrated with the SPR process.
机构:Institut d'Electronique et de Microélectronique du Nord, UMR CNRS 9929, Domaine Universitaire Scientifique, Villeneuve D'Ascq, F‐59652, Villeneuve d'Ascq Avenue Poincaré
JOANNES, L
GRIMBERT, B
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机构:Institut d'Electronique et de Microélectronique du Nord, UMR CNRS 9929, Domaine Universitaire Scientifique, Villeneuve D'Ascq, F‐59652, Villeneuve d'Ascq Avenue Poincaré
GRIMBERT, B
VILCOT, JP
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机构:Institut d'Electronique et de Microélectronique du Nord, UMR CNRS 9929, Domaine Universitaire Scientifique, Villeneuve D'Ascq, F‐59652, Villeneuve d'Ascq Avenue Poincaré
VILCOT, JP
TCHANA, W
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机构:Institut d'Electronique et de Microélectronique du Nord, UMR CNRS 9929, Domaine Universitaire Scientifique, Villeneuve D'Ascq, F‐59652, Villeneuve d'Ascq Avenue Poincaré
TCHANA, W
DECOSTER, D
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机构:Institut d'Electronique et de Microélectronique du Nord, UMR CNRS 9929, Domaine Universitaire Scientifique, Villeneuve D'Ascq, F‐59652, Villeneuve d'Ascq Avenue Poincaré