THE ELECTRON-VOLTAIC EFFECT IN GERMANIUM AND SILICON P-N JUNCTIONS

被引:0
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作者
RAPPAPORT, P
LOFERSKI, JJ
LINDER, EG
机构
来源
RCA REVIEW | 1956年 / 17卷 / 01期
关键词
D O I
暂无
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
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页数:29
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