A STUDY OF RADIATION EFFECTS ON REOXIDIZED NITRIDED-OXIDE MOSFETS, INCLUDING EFFECTS ON MOBILITY

被引：6
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作者：
MALLIK, A
VASI, J
CHANDORKAR, AN
机构：
[1] Department of Electrical Engineering Indian Institute of Technology Bombay
来源：
SOLID-STATE ELECTRONICS | 1993年 / 36卷 / 09期
关键词：
D O I：
10.1016/0038-1101(93)90179-T
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
[No abstract available]
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页码：1359 / 1361
页数：3
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