INFLUENCE OF TYPE OF GROUP V DOPANT ON ANNEALING OF GAMMA-RADIATION DEFECTS IN GERMANIUM

被引:0
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作者
ABDURAKHMANOVA, SN [1 ]
DOSTKHODZHAEV, T [1 ]
MASHOVETS, TV [1 ]
机构
[1] AF IOFFE ENGN PHYS INST, LENINGRAD, USSR
来源
SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR | 1974年 / 7卷 / 09期
关键词
D O I
暂无
中图分类号
O469 [凝聚态物理学];
学科分类号
070205 ;
摘要
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页码:1229 / 1230
页数:2
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