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SURFACE-CHARGE RANDOM-ACCESS MEMORY SYSTEM
被引:8
|
作者
:
ENGELER, WE
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ENGELER, WE
TIEMANN, JJ
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TIEMANN, JJ
BAERTSCH, RD
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BAERTSCH, RD
机构
:
来源
:
IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS
|
1972年
/ SC 7卷
/ 05期
关键词
:
D O I
:
10.1109/JSSC.1972.1052888
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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页码:330 / &
相关论文
共 50 条
[31]
RANDOM-ACCESS
DEPARIS, JR
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DEPARIS, JR
DATA PROCESSING,
1965,
7
(02):
: 30
-
31
[32]
SYSTEM AND FABRICATION TECHNIQUES FOR A SOLID-STATE RANDOM-ACCESS MASS MEMORY
FULLER, HW
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FULLER, HW
MCCORMACK, TL
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MCCORMACK, TL
BATTAREL, CP
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BATTAREL, CP
IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS,
1965,
MAG1
(01)
: 21
-
+
[33]
Design of Static Random-Access Memory Cell for Fault Tolerant Digital System
Yoon, Taehwan
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机构:
Kwangwoon Univ, Dept Elect Engn, Seoul 01897, South Korea
Kwangwoon Univ, Dept Elect Engn, Seoul 01897, South Korea
Yoon, Taehwan
Park, Jihwan
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机构:
Kwangwoon Univ, Dept Elect Engn, Seoul 01897, South Korea
Kwangwoon Univ, Dept Elect Engn, Seoul 01897, South Korea
Park, Jihwan
Jeong, Hanwool
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机构:
Kwangwoon Univ, Dept Elect Engn, Seoul 01897, South Korea
Kwangwoon Univ, Dept Elect Engn, Seoul 01897, South Korea
Jeong, Hanwool
APPLIED SCIENCES-BASEL,
2022,
12
(22):
[34]
CCD LINE ADDRESSABLE RANDOM-ACCESS MEMORY (LARAM)
GUNSAGAR, KC
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR,RES & DEV LAB,PALO ALTO,CA 94304
GUNSAGAR, KC
GUIDRY, MR
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机构:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR,RES & DEV LAB,PALO ALTO,CA 94304
GUIDRY, MR
AMELIO, GF
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机构:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR,RES & DEV LAB,PALO ALTO,CA 94304
AMELIO, GF
IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS,
1975,
10
(05)
: 268
-
273
[35]
256K DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORY
BENEVIT, CA
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BENEVIT, CA
CASSARD, JM
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CASSARD, JM
DIMMLER, KJ
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DIMMLER, KJ
DUMBRI, AC
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DUMBRI, AC
MOUND, MG
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MOUND, MG
PROCYK, FJ
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PROCYK, FJ
ROSENZWEIG, W
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ROSENZWEIG, W
YANOF, AW
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YANOF, AW
ISSCC DIGEST OF TECHNICAL PAPERS,
1982,
25
: 76
-
77
[36]
TECHNICAL EVOLUTION OF RANDOM-ACCESS CRYOELECTRIC MEMORY SYSTEMS
GANGE, RE
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GANGE, RE
IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS,
1968,
MAG4
(03)
: 325
-
&
[37]
64 KBIT MOS DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORY
NATORI, K
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NTIS INC,KAWASAKI,JAPAN
NTIS INC,KAWASAKI,JAPAN
NATORI, K
OGURA, M
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NTIS INC,KAWASAKI,JAPAN
NTIS INC,KAWASAKI,JAPAN
OGURA, M
IWAI, H
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NTIS INC,KAWASAKI,JAPAN
NTIS INC,KAWASAKI,JAPAN
IWAI, H
MAEGUCHI, K
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机构:
NTIS INC,KAWASAKI,JAPAN
NTIS INC,KAWASAKI,JAPAN
MAEGUCHI, K
TAGUCHI, S
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机构:
NTIS INC,KAWASAKI,JAPAN
NTIS INC,KAWASAKI,JAPAN
TAGUCHI, S
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES,
1979,
26
(04)
: 560
-
563
[38]
A network-ready random-access qubits memory
Stefan Langenfeld
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机构:
Max-Planck-Institut für Quantenoptik,
Stefan Langenfeld
Olivier Morin
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机构:
Max-Planck-Institut für Quantenoptik,
Olivier Morin
Matthias Körber
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机构:
Max-Planck-Institut für Quantenoptik,
Matthias Körber
Gerhard Rempe
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机构:
Max-Planck-Institut für Quantenoptik,
Gerhard Rempe
npj Quantum Information,
6
[39]
GAAS/ALGAAS DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORY CELL
CHEN, CL
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机构:
Lincoln Laboratory, Massachusetts Institute of Technology, Lexington
CHEN, CL
GOODHUE, WD
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机构:
Lincoln Laboratory, Massachusetts Institute of Technology, Lexington
GOODHUE, WD
MAHONEY, LJ
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机构:
Lincoln Laboratory, Massachusetts Institute of Technology, Lexington
MAHONEY, LJ
ELECTRONICS LETTERS,
1991,
27
(15)
: 1330
-
1332
[40]
MOS SEMICONDUCTOR RANDOM-ACCESS MEMORY FAILURE RATE
ARSENAULT, JE
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ARSENAULT, JE
ROBERTS, DC
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ROBERTS, DC
MICROELECTRONICS AND RELIABILITY,
1979,
19
(1-2):
: 81
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