SENSITIVITY OF GE-GAAS HETEROSTRUCTURES TO VACUUM ULTRAVIOLET-RADIATION

被引:0
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作者
MAKAROV, OA
NEIZVESTNYI, IG
SINYUKOV, MP
SUPRUN, SP
SHUMSKII, VN
机构
来源
SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR | 1989年 / 23卷 / 06期
关键词
D O I
暂无
中图分类号
O469 [凝聚态物理学];
学科分类号
070205 ;
摘要
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页数:3
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