BROADENING OF DIFFUSION PROFILES IN SILICON UNDER ACTION OF IONIZING-RADIATION

被引：0
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作者：
KOIFMAN, AI
NIYAZOVA, OR
机构：
来源：
SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR | 1972年 / 6卷 / 04期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
O469 [凝聚态物理学];
学科分类号：
070205 ;
摘要：
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页码：656 / &
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