PREPARATION OF ATOMICALLY CLEAN SURFACES OF SI AND GE BY HEATING IN VACUUM

被引：37

作者：

JONA, F

机构：

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1965年 / 6卷 / 10期

关键词：

D O I：

10.1063/1.1754133

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：205 / &

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