LARGE-SIGNAL INSULATED-GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR MODEL FOR COMPUTER CIRCUIT SIMULATION

被引：0
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作者：
HODGES, DA
SHICHMAN, H
机构：
来源：
IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS | 1968年 / SC 3卷 / 01期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
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