ASPECTS OF THE GROWTH OF INP INGAAS MULTI-QUANTUM-WELL STRUCTURES BY GAS SOURCE MOLECULAR-BEAM EPITAXY

被引：0
|
作者：
DAVIES, GJ
SCOTT, EG
LYONS, MH
REJMANGREENE, MAZ
ANDREWS, DA
机构：
来源：
SPECTROSCOPY OF SEMICONDUCTOR MICROSTRUCTURES | 1989年 / 206卷
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
收藏
页码：45 / 63
页数：19
相关论文
共 50 条
12345