Magnetoresistive SensorenMagnetoresistive sensors

被引：0
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作者：
H. Hauser
R. Kloibhofer
G. Stangl
W. Fallmann
P. Aigner
J. Hochreiter
机构：
[1] Technische Universität Wien,Institut für Werkstoffe der Elektrotechnik
[2] Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik,undefined
[3] Schiebel Elektronische Geräte GmbH.,undefined
来源：
e&i Elektrotechnik und Informationstechnik | 1998年 / 115卷 / 7-8期
关键词：
Permalloy-Schicht; anisotroper magnetoresistiver Effekt; Kathodensputtern; permalloy film; anisotropic magnetoresistive effect; cathode sputtering;
D O I：
10.1007/BF03159608
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
Der anisotrope magnetoresistive Effekt basiert in diesem Fall auf der Abhängigkeit des elektrischen Widerstands vom Winkel zwischen der spontanen Magnetisierung und der Stromdichte in einem dünnen Permalloy-Film. Zu dessen Herstellung müssen insbesondere die Parameter des Sputterprozesses optimiert werden. Die Ergebnisse werden anhand verschiedener mikrotechnologischer Sensorlayouts für Brückenschaltungen erörtert, wobei eine Magnetfeldauflösung im nT-Bereich in einem Frequenzbereich von 0 bis 1 kHz erzielt werden soll.
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页码：382 / 390
页数：8
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