超低功耗无片外电容的低压差线性稳压器

被引：10

作者：

陈琛 ^{[1
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孙可旭 ^{[2
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冯建宇 ^{[1
]}

奚剑雄 ^{[1
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何乐年 ^{[1
]}

机构：

[1] 浙江大学超大规模集成电路设计研究所

[2] 南卫理公会大学电子工程系

来源：

浙江大学学报(工学版) | 2017年 / 51卷 / 08期

关键词：

低压差线性稳压器; 超低功耗; 无片外电容; 嵌套密勒补偿(NMC); 阻抗衰减缓冲器;

D O I：

暂无

中图分类号：

TM44 [稳定器];

学科分类号：

080801 ;

摘要：

为了减小无片外电容低压差线性稳压器(LDO)的功耗并提高稳定性,提出带有阻抗衰减缓冲器的LDO.该LDO主环路采用三级运放结构,具有动态偏置并联反馈结构和摆率增强电路的缓冲器作为中间级,驱动PMOS功率管.使用嵌套密勒补偿方式(NMC),将低频主极点放置在第一级输出,将缓冲器输出极点和LDO输出极点作为次极点构成极点-极点追踪,达到无片外电容LDO稳定性和瞬态响应的要求.芯片采用GSMC公司的130nm CMOC工艺模型设计并经流片测试.测试结果表明:在1.6～4V输入电压下,输出1.5V电压,最大输出电流为1.5mA时静态电流小于881nA.测试结果验证了设计要求.

引用

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页数：7