3.3μA静态电流无片外电容的CMOS低压差线性稳压器(英文)

被引：1

作者：

王忆

崔传荣

巩文超

何乐年

机构：

[1] 浙江大学超大规模集成电路设计研究所

来源：

Journal of Southeast University(English Edition) | 2009年 / 25卷 / 01期

关键词：

低压差线性稳压器; 无片外电容; 摆率增强电路; 嵌套式米勒补偿;

D O I：

暂无

中图分类号：

TM44 [稳定器];

学科分类号：

080801 ;

摘要：

设计了一种用于片上系统的无片外电容的CMOS低压差线性稳压器(LDO),其输出电压为3.3V,最大输出电流为100mA.该设计可以有效地减少芯片引脚和电路板面积.通过在传统结构上使用动态摆率增强电路和嵌套式米勒补偿技术,LDO在线性和负载响应过程中都有很强的稳定性.当输出电流从100mA减小到1mA时,过冲电压被限制在550mV以内,稳定时间小于50μs.由于采用了30nA的电流基准,本设计的静态功耗仅为3.3μA.通过CSMC公司0.5μm CMOS工艺进行设计并流片验证,芯片测试结果与仿真结果吻合.

引用

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