高硬导电Cu-Ni-Si合金成分规律

被引：5

作者：

李冬梅 ^{[1
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姜贝贝 ^{[1
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李晓娜 ^{[1
]}

王清 ^{[1
]}

董闯 ^{[1
]}

机构：

[1] 不详

[2] 大连理工大学材料科学与工程学院三束材料改性教育部重点实验室

[3] 不详

[4] 内蒙古民族大学机械工程学院

[5] 不详

来源：

金属学报 | 2019年 / 10期

基金：

国家重点研发计划;

关键词：

Cu-Ni-Si合金; 成分规律; 硬度; 导电率; 成分敏感区;

D O I：

暂无

中图分类号：

TG146.11 [];

学科分类号：

摘要：

用团簇加连接原子模型设计了系列用于制作引线框架的Cu-Ni-Si合金。在Cu含量小于95%的浓溶质区,采用单团簇模型[(Ni2/3Si1/3)-Cu12]Cu1～6设计合金成分;在Cu含量大于或等于95%的稀溶质区,采用双团簇模型{[(Ni2/3Si1/3)-Cu12]Cu3}A+{[Cu-Cu12]Cu3}B设计合金成分。利用XRD、OM、TEM、Vickers硬度计、电导率测量仪等实验获得Cu-Ni-Si合金的成分规律。结果表明,在Cu-Ni-Si合金的成分范围内存在Cu含量为95.0%～95.8%的成分敏感区,此区间内合金同时存在时效析出强化和调幅分解强化,致使Vickers硬度突然增加,导电率降低,两者变化趋势相反,且与成分之间无规律性依赖关系。成分敏感区前后的浓溶质区和稀溶质区的合金中,不存在调幅分解强化,Vickers硬度（H）随Cu含量（CCu）增加而减少,分别满足H=-12.6CCu+1362.7和H=-26.2CCu+2777.3的线性关系;相应的导电率（σ）随CCu的线性增加关系分别为σ=0.2CCu+28.6和σ=5.2CCu-466。

引用

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