一种低温漂超低功耗带隙基准电压源

被引:5
作者
李连辉
段吉海
张喜
机构
[1] 桂林电子科技大学广西精密导航技术与应用重点实验室
关键词
带隙基准; 电流模; 温漂; 功耗;
D O I
10.13911/j.cnki.1004-3365.2016.04.007
中图分类号
TN432 [场效应型];
学科分类号
080903 ; 1401 ;
摘要
基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种低温漂超低功耗的带隙基准电压源。采用无电阻电路结构,使基准电压源具有了超低功耗性能。基于分段线性电流模技术,引入滤波电容,极大地降低了温漂系数,稳定了输出电压。利用Cadence Spectre EDA软件,对电路进行设计和仿真。结果表明,在-50℃100℃温度范围内,温漂系数仅为2.9×10-6/℃。在0.99~3V的电压范围内具有稳定的基准输出。在1kHz频率下电源抑制比为-71.28dB。整个带隙基准源的功耗仅为185.9nW。
引用
收藏
页码:458 / 462
页数:5
相关论文
共 7 条
[1]   一种新型全CMOS低功耗基准电源的设计 [J].
许育森 ;
胡炜 .
微电子学, 2013, 43 (06) :742-746
[2]   一种基于MOS亚阈值特性的低功耗电压基准源 [J].
王会杰 ;
王春华 ;
何海珍 ;
李湛 .
微电子学, 2011, 41 (05) :654-657
[3]  
CMOS带隙基准源高阶温度补偿的设计与仿真[D]. 张静.西南交通大学. 2013
[4]  
低压低功耗CMOS带隙基准电压源设计[D]. 张小莹.西安电子科技大学. 2009
[5]  
深亚微米CMOS模拟集成电路设计[M]. 科学出版社 , (美) 宋邦燮, 2014
[6]  
A CMOS bandgap and sub-bandgap voltage reference circuits for nanowatt power LSIs .2 HIROSE T,UENO K,KUROKI N,et al. IEEE Asian Sol Sta Circ Conf . 2010
[7]  
CMOS bandgap references with self-biased symmetrically matched current-voltage mirror and extension of sub-1-V design .2 LAM Y H,KI W H. IEEE Transactions on,Very Large Scale Integration Systems . 2010