一种基于MOS亚阈值特性的低功耗电压基准源

被引：8

作者：

王会杰

王春华

何海珍

李湛

机构：

[1] 湖南大学先进通信技术湖南省高校重点实验室

来源：

微电子学 | 2011年 / 41卷 / 05期

关键词：

CMOS; 电压基准源; 亚阈值; 弱反型; 强反型;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN432 [场效应型];

学科分类号：

080903 ; 1401 ;

摘要：

采用Chartered 0.18-μm CMOS工艺,设计了一种基于MOS亚阈值特性的全MOS结构电压基准源。它利用VT的正温度特性补偿VTH的负温度特性,以实现一个零温度系数的输出电压。为了实现较低的功耗,大部分MOS晶体管均工作在亚阈值区。仿真结果表明:电路可工作在0.7V到3.6V电压范围内;在0℃～120℃范围内,电压基准的温度系数可达2.97×10-6/℃;在1V电源电压下,电路的静态功耗和输出电压值分别为1.48μW和430.6mV;在没有滤波电容的情况下,在1kHz时,输出电压的电源电压抑制比为-61dB。

引用

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