Cu-In合金硒化法制备CuInSe2薄膜

被引：1
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作者：
欧铜钢
谭艳芳
王建兴
周兆锋
潘勇
机构：
[1] 湘潭大学材料与光电物理学院
[2] 湘潭大学低维材料及其应用技术教育部重点实验室
来源：
材料导报 | 2009年 / 23卷 / 22期
关键词：
电沉积; Cu-In; CuInSe2; 硒化;
D O I：
暂无
中图分类号：
TB383.2 [];
学科分类号：
摘要：
采用三电极体系恒电压电沉积法制备了Cu-In薄膜,经硒化退火生成CuInSe2薄膜。采用循环伏安法研究了电沉积Cu-In的循环伏安特性,确定其最佳沉积电位在-0.75V左右,Cu与In的化学计量比为1.1,达到了理想前驱体的Cu与In的化学计量比。研究了不同沉积电位下材料组成、结构与性能的影响。硒化后,Cu与In的化学计量比为1.1时形成了比较单一的CuInSe2黄铜矿相结构。
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