硒化技术对CuInSe2薄膜表面形貌和晶相的影响

被引：6
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作者：
李健
朱洁
机构：
[1] 北京科技大学新金属材料国家重点实验室
来源：
物理学报 | 2007年 / 01期
关键词：
Cu-In预置膜; 共溅射; 硒化; CIS膜;
D O I：
暂无
中图分类号：
O484 [薄膜物理学];
学科分类号：
080501 ; 1406 ;
摘要：
以共溅射法制备的Cu-In预制膜为衬底材料,以硒粉为原料,尝试了几种特殊的硒化方案,包括单源硒化法、双源硒化法、表面喷粉硒化法、分步硒化退火和同步硒化退火等5种具有代表性和创新性的方案,研究了硒源的摆放方式、升温方法对薄膜质量的影响,比较了不同方法制备的CuInSe2(CIS)薄膜在形貌、成分、相结构等方面的异同.系统地分析了硒化温度、退火温度和退火时间对CuInSe2薄膜成分的影响,研究了各元素的百分含量随硒化退火条件的变化规律,为更准确地把握CIS薄膜的成分和相结构提供有益的借鉴.
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页码：574 / 582
页数：9
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