Influence of annealing on the interface properties of low-dose Si implanted n-layers in semi-insulating InP

被引:0
|
作者
Molnar, B.
机构
来源
Journal of Applied Physics | 1995年 / 77卷 / 09期
关键词
D O I
暂无
中图分类号
学科分类号
摘要
引用
收藏
相关论文
共 50 条