Effect of H on Si molecular-beam epitaxy

被引:0
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作者
Eaglesham, D.J.
Unterwald, F.C.
Luftman, H.
Adams, D.P.
Yalisove, S.M.
机构
来源
Journal of Applied Physics | 1993年 / 74卷 / 11期
关键词
D O I
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