GROWING SILICON SINGLE CRYSTALS BY THE METHOD OF VERTICAL DIRECTED CRYSTALLIZATION IN GRAPHITE CRUCIBLES.

被引:0
|
作者
Basovskii, A.A.
Kats, E.A.
Chertov, B.N.
Rogailin, M.I.
机构
来源
Soviet electrical engineering | 1987年 / 58卷 / 11期
关键词
D O I
暂无
中图分类号
学科分类号
摘要
引用
收藏
相关论文
共 50 条