CARRIER-DENSITY DEPENDENCE OF THE PHENOMENOLOGICAL RELAXATION TIME OF THE ELECTRON ENERGY IN n-TYPE Si.

被引:0
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作者
Ashmontas, S.P.
Olekas, A.P.
机构
来源
Soviet physics. Semiconductors | 1980年 / 14卷 / 03期
关键词
Compilation and indexing terms; Copyright 2025 Elsevier Inc;
D O I
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