CARRIER COLLECTION EFFICIENCY OF SCHOTTKY DIODES ON TRIODE DC SPUTTERED HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON: TRANSPORT PROPERTIES OF HOLES.

被引:0
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作者
Arene, E. [1 ]
Baixeras, J. [1 ]
Mencaraglia, D. [1 ]
机构
[1] CNRS, Lab de Genie Electrique de, Paris, Gif-sur-Yvette, Fr, CNRS, Lab de Genie Electrique de Paris, Gif-sur-Yvette, Fr
来源
| 1600年 / 56期
关键词
D O I
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