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CARRIER COLLECTION EFFICIENCY OF SCHOTTKY DIODES ON TRIODE DC SPUTTERED HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON: TRANSPORT PROPERTIES OF HOLES.
被引:0
|作者:
Arene, E.
[1
]
Baixeras, J.
[1
]
Mencaraglia, D.
[1
]
机构:
[1] CNRS, Lab de Genie Electrique de, Paris, Gif-sur-Yvette, Fr, CNRS, Lab de Genie Electrique de Paris, Gif-sur-Yvette, Fr
来源:
|
1600年
/
56期
关键词:
D O I:
暂无
中图分类号:
学科分类号:
摘要:
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