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Self-ordering of CoSi2 precipitates and epitaxial layer growth of CoSi2 on Si(100)
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作者
:
Mantl, S.
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Forschungszentrum Juelich, Juelich, Germany
Forschungszentrum Juelich, Juelich, Germany
Mantl, S.
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Kappius, L.
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Kappius, L.
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Mesters, St.
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Mesters, St.
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机构
:
[1]
Forschungszentrum Juelich, Juelich, Germany
来源
:
Thin Solid Films
|
1998年
/ 321卷
关键词
:
D O I
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暂无
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[21]
EPITAXIAL-GROWTH OF COSI2 ON (001) AND (111) SI
BULLELIEUWMA, CWT
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BULLELIEUWMA, CWT
VANOMMEN, AH
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VANOMMEN, AH
LANGEREIS, C
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LANGEREIS, C
HORNSTRA, J
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HORNSTRA, J
INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES,
1988,
(93):
: 81
-
82
[22]
GROWTH OF UNIFORM EPITAXIAL COSI2 FILMS ON SI(111)
FISCHER, AEMJ
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PHILIPS RES LABS,5600 JA EINDHOVEN,NETHERLANDS
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FISCHER, AEMJ
SLIJKERMAN, WFJ
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SLIJKERMAN, WFJ
NAKAGAWA, K
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NAKAGAWA, K
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SMITH, RJ
VANDERVEEN, JF
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PHILIPS RES LABS,5600 JA EINDHOVEN,NETHERLANDS
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VANDERVEEN, JF
BULLELIEUWMA, CWT
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PHILIPS RES LABS,5600 JA EINDHOVEN,NETHERLANDS
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BULLELIEUWMA, CWT
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1988,
64
(06)
: 3005
-
3013
[23]
OPTICAL-PROPERTIES OF EPITAXIAL COSI2/SI AND COSI2 PARTICLES IN SI FROM 0.062 TO 2.76 EV
WU, ZC
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WU, ZC
ARAKAWA, ET
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JIMENEZ, JR
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JIMENEZ, JR
SCHOWALTER, LJ
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RENSSELAER POLYTECH INST,DEPT PHYS,TROY,NY 12181
SCHOWALTER, LJ
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1992,
71
(11)
: 5601
-
5605
[24]
Growth of epitaxial CoSi2 on SiGe(001)
Boyanov, BI
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N Carolina State Univ, Dept Phys, Raleigh, NC 27695 USA
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Boyanov, BI
Goeller, PT
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Sayers, DE
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N Carolina State Univ, Dept Phys, Raleigh, NC 27695 USA
Nemanich, RJ
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1999,
86
(03)
: 1355
-
1362
[25]
FORMATION OF EPITAXIAL COSI2 ON SI(100) - ROLE OF THE ANNEALING AMBIENT
VANTOMME, A
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INTEL CORP,SANTA CLARA,CA 95052
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VANTOMME, A
NICOLET, MA
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NICOLET, MA
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BAI, G
FRASER, DB
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FRASER, DB
APPLIED PHYSICS LETTERS,
1993,
62
(03)
: 243
-
245
[26]
Epitaxial CoSi2 formation by Co/Hf bilayers on Si(100)
Gebhardt, B
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Hinneberg, HJ
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Hinneberg, HJ
MICROELECTRONIC ENGINEERING,
1997,
37-8
(1-4)
: 483
-
490
[27]
Nanometer patterning of epitaxial CoSi2/Si(100) by local oxidation
Zhao, QT
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Klinkhammer, F
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Mantl, S
SOLID-STATE ELECTRONICS,
1999,
43
(06)
: 1091
-
1094
[28]
Surfactant-mediated growth of CoSi2 on Si(100)
Scheuch, V
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FORSCHUNGSZENTRUM JULICH, FORSCHUNGSZENTRUM, INST GRENZFLACHENFORSCH & VAKUUMPHYS, D-52425 JULICH, GERMANY
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Voigtlander, B
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FORSCHUNGSZENTRUM JULICH, FORSCHUNGSZENTRUM, INST GRENZFLACHENFORSCH & VAKUUMPHYS, D-52425 JULICH, GERMANY
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Bonzel, HP
SURFACE SCIENCE,
1997,
381
(01)
: L546
-
L550
[29]
Growth and characterization of CoSi2 films on Si (100) substrates
Takahashi, F
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Univ Electrocommun, Dept Appl Phys & Chem, Chofu, Tokyo 1828585, Japan
Univ Electrocommun, Dept Appl Phys & Chem, Chofu, Tokyo 1828585, Japan
Takahashi, F
Irie, T
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Irie, T
Shi, J
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Shi, J
Hashimoto, M
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Univ Electrocommun, Dept Appl Phys & Chem, Chofu, Tokyo 1828585, Japan
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Hashimoto, M
APPLIED SURFACE SCIENCE,
2001,
169
: 315
-
319
[30]
FORMATION OF EPITAXIAL SI/COSI2,/SI(100) HETEROSTRUCTURES USING ALLOTAXY
MANTL, S
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机构:
Institut für Schicht-und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich, D-52425 Jülich
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GUGGI, D
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APPLIED SURFACE SCIENCE,
1993,
73
: 102
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