Low-voltage and low-current flash memory using source induced band-to-band tunneling hot electron injection to perform programming

被引：0

作者：

Pan, Liyang ^{[1
]}

Zhu, Jun ^{[1
]}

Zeng, Ying ^{[1
]}

Fu, Yuxia ^{[1
]}

Wu, Dong ^{[1
]}

Duan, Zhigang ^{[1
]}

Liu, Jianzhao ^{[1
]}

Sun, Lei ^{[1
]}

机构：

[1] Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing 100084, China

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers | 2003年 / 42卷 / 4 B期

关键词：

D O I：

10.1143/jjap.42.2028

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

页码：2028 / 2032

共 22 条